Rješenje za upravljanje litij-ionskim baterijama 96,2 V 26 s, sustav upravljanja baterijama BMS

Napon punjenja DC: 109,2 V CC/CV

Napon uravnoteženja za jednu ćeliju 4,20 ± 0,025 V

Struja uravnoteženja za jednu ćeliju 42±5mA

Potrošnja struje ≤20μA

Maksimalna kontinuirana struja punjenja 60A

Maksimalna kontinuirana struja pražnjenja 100A

Napon detekcije prepunjenosti za jednu ćeliju 4,25 ± 0,025 V

Vrijeme odgode detekcije prepunjenosti 0,5 S—1,5 S

Napon otpuštanja preopterećenja za jednu ćeliju 4,05 ± 0,05 V

Napon detekcije prekomjernog pražnjenja za jednu ćeliju 2,50 ± 0,062 V

Vrijeme odgode detekcije prekomjernog pražnjenja 10mS—150mS

Napon otpuštanja pri prekomjernom pražnjenju za jednu ćeliju 3,00 ± 0,062 V

Napon detekcije prekomjerne struje 0,20±0,015 V

Struja detekcije prekomjerne struje 70±10A

Vrijeme odgode detekcije 5ms—15ms

Uvjet otpuštanja Rezanje opterećenja

Uvjet detekcije Vanjski kratki spoj

Vrijeme odgode detekcije 200-500us

Uvjet otpuštanja Rezanje opterećenja

Zaštitni krug otpora (MOSFET) ≤20mΩ

Radni temperaturni raspon -40~+85℃   

Raspon temperature skladištenja -40~+125℃

Description

Napon punjenja DC: 109,2 V CC/CV

Napon uravnoteženja za jednu ćeliju 4,20 ± 0,025 V

Struja uravnoteženja za jednu ćeliju 42±5mA

Potrošnja struje ≤20μA

Maksimalna kontinuirana struja punjenja 60A

Maksimalna kontinuirana struja pražnjenja 100A

Napon detekcije prepunjenosti za jednu ćeliju 4,25 ± 0,025 V

Vrijeme odgode detekcije prepunjenosti 0,5 S—1,5 S

Napon otpuštanja preopterećenja za jednu ćeliju 4,05 ± 0,05 V

Napon detekcije prekomjernog pražnjenja za jednu ćeliju 2,50 ± 0,062 V

Vrijeme odgode detekcije prekomjernog pražnjenja 10mS—150mS

Napon otpuštanja pri prekomjernom pražnjenju za jednu ćeliju 3,00 ± 0,062 V

Napon detekcije prekomjerne struje 0,20±0,015 V

Struja detekcije prekomjerne struje 70±10A

Vrijeme odgode detekcije 5ms—15ms

Uvjet otpuštanja Rezanje opterećenja

Uvjet detekcije Vanjski kratki spoj

Vrijeme odgode detekcije 200-500us

Uvjet otpuštanja Rezanje opterećenja

Zaštitni krug otpora (MOSFET) ≤20mΩ

Radni temperaturni raspon -40~+85℃   

Raspon temperature skladištenja -40~+125℃