Rešitev za upravljanje litij-ionskih baterij 96,2 V 26 s, sistem za upravljanje baterij BMS

Polnilna napetost DC: 109,2 V CC/CV

Ravnovesna napetost za eno celico 4,20 ± 0,025 V

Ravnovesni tok za eno celico 42±5mA

Poraba toka ≤20μA

Največji neprekinjeni polnilni tok 60A

Največji neprekinjeni praznilni tok 100A

Napetost zaznavanja prenapolnjenosti za eno celico 4,25 ± 0,025 V

Čas zakasnitve zaznavanja preobremenitve 0,5S—1,5S

Napetost sproščanja preobremenitve za eno celico 4,05 ± 0,05 V

Napetost za zaznavanje prekomerne izpraznitve za eno celico 2,50 ± 0,062 V

Čas zakasnitve zaznavanja prekomerne izpraznitve 10mS—150mS

Napetost sproščanja pri preobremenitvi za eno celico 3,00 ± 0,062 V

Napetost zaznavanja preobremenitvenega toka 0,20 ± 0,015 V

Tok zaznavanja preobremenitve 70±10A

Čas zakasnitve zaznavanja 5 ms–15 ms

Pogoj sprostitve Rezalna obremenitev

Pogoj zaznavanja Zunanji kratek stik

Čas zakasnitve zaznavanja 200-500 us

Pogoj sprostitve Rezalna obremenitev

Vezje za zaščito upornosti (MOSFET) ≤20mΩ

Delovno temperaturno območje -40~+85℃   

Temperaturno območje skladiščenja -40~+125℃

Description

Polnilna napetost DC: 109,2 V CC/CV

Ravnovesna napetost za eno celico 4,20 ± 0,025 V

Ravnovesni tok za eno celico 42±5mA

Poraba toka ≤20μA

Največji neprekinjeni polnilni tok 60A

Največji neprekinjeni praznilni tok 100A

Napetost zaznavanja prenapolnjenosti za eno celico 4,25 ± 0,025 V

Čas zakasnitve zaznavanja preobremenitve 0,5S—1,5S

Napetost sproščanja preobremenitve za eno celico 4,05 ± 0,05 V

Napetost za zaznavanje prekomerne izpraznitve za eno celico 2,50 ± 0,062 V

Čas zakasnitve zaznavanja prekomerne izpraznitve 10mS—150mS

Napetost sproščanja pri preobremenitvi za eno celico 3,00 ± 0,062 V

Napetost zaznavanja preobremenitvenega toka 0,20 ± 0,015 V

Tok zaznavanja preobremenitve 70±10A

Čas zakasnitve zaznavanja 5 ms–15 ms

Pogoj sprostitve Rezalna obremenitev

Pogoj zaznavanja Zunanji kratek stik

Čas zakasnitve zaznavanja 200-500 us

Pogoj sprostitve Rezalna obremenitev

Vezje za zaščito upornosti (MOSFET) ≤20mΩ

Delovno temperaturno območje -40~+85℃   

Temperaturno območje skladiščenja -40~+125℃