sales@abtcharger.com 8615986775944

Bộ pin li-ion 48,1v（13s）bms

Thông số kỹ thuật cho bộ pin Li-Ion 48,1V (13S) BMS
Mẫu: WS-26S100A-057(13S)
KHÔNG. Mục kiểm tra Tiêu chí
1 Điện áp Điện áp sạc DC: 54,6V CC/CV
Điện áp cân bằng cho cell đơn 4,20±0,025V
2 Hiện hành Dòng điện cân bằng cho cell đơn 120±10mA
Tiêu thụ hiện tại  ≤20μA
Dòng điện sạc liên tục tối đa 20A
Dòng xả liên tục tối đa 100A
3 Bảo vệ quá tải Điện áp phát hiện quá tải cho cell đơn 4,25±0,025V
Thời gian trễ phát hiện quá tải 0,5 giây—1,5 giây
Điện áp giải phóng quá tải cho cell đơn 4,05±0,05V
4 Bảo vệ quá tải Điện áp phát hiện quá tải cho cell đơn 2,50±0,062V
Thời gian trễ phát hiện quá tải 10mS—150mS
Điện áp giải phóng quá mức cho cell đơn 3,00±0,062V
5 Bảo vệ quá dòng Điện áp phát hiện quá dòng 0,62V
Phát hiện quá dòng hiện tại 200±50A
Thời gian trễ phát hiện   5ms—15ms
Điều kiện phát hành Cắt tải
6 Bảo vệ ngắn Điều kiện phát hiện Ngắn mạch bên ngoài
Thời gian trễ phát hiện 200-500us
Điều kiện phát hành Cắt tải
7 Sức chống cự Mạch bảo vệ (MOSFET) ≤20mΩ
8 Nhiệt độ Phạm vi nhiệt độ hoạt động -40～+65℃
Phạm vi nhiệt độ lưu trữ -40～+125℃
8615986775944 86755-86299563

Description

Thông số kỹ thuật cho bộ pin Li-Ion 48,1V (13S) BMS
Mẫu: WS-26S100A-057(13S)
KHÔNG. Mục kiểm tra Tiêu chí
1 Điện áp Điện áp sạc DC: 54,6V CC/CV
Điện áp cân bằng cho cell đơn 4,20±0,025V
2 Hiện hành Dòng điện cân bằng cho cell đơn 120±10mA
Tiêu thụ hiện tại  ≤20μA
Dòng điện sạc liên tục tối đa 20A
Dòng xả liên tục tối đa 100A
3 Bảo vệ quá tải Điện áp phát hiện quá tải cho cell đơn 4,25±0,025V
Thời gian trễ phát hiện quá tải 0,5 giây—1,5 giây
Điện áp giải phóng quá tải cho cell đơn 4,05±0,05V
4 Bảo vệ quá tải Điện áp phát hiện quá tải cho cell đơn 2,50±0,062V
Thời gian trễ phát hiện quá tải 10mS—150mS
Điện áp giải phóng quá mức cho cell đơn 3,00±0,062V
5 Bảo vệ quá dòng Điện áp phát hiện quá dòng 0,62V
Phát hiện quá dòng hiện tại 200±50A
Thời gian trễ phát hiện   5ms—15ms
Điều kiện phát hành Cắt tải
6 Bảo vệ ngắn Điều kiện phát hiện Ngắn mạch bên ngoài
Thời gian trễ phát hiện 200-500us
Điều kiện phát hành Cắt tải
7 Sức chống cự Mạch bảo vệ (MOSFET) ≤20mΩ
8 Nhiệt độ Phạm vi nhiệt độ hoạt động -40～+65℃
Phạm vi nhiệt độ lưu trữ -40～+125℃